1.本晶片电解氧化设备适用于在0.1N KOH 乙二醇溶液条件下，用电解方法在半导体晶片表面形成氧化膜;用电解方法剥离半导体晶片表面氧化膜;用电解方法在半导体表面进行刻蚀。
2.箱体采用12㎜厚进口PP板；底部设不锈钢调平支脚及脚轮，便于移动；操作面设有维修活动门，便于操作；
3.有温度报警装置.
4.配置1个工艺槽，1个纯水喷洗槽；DIW水枪一个.槽体采用10㎜厚进口PP板焊接，槽体无渗漏、变形，底部设有一排液阀，便于更换溶液.
5.配备可移动阳极导电杆及不锈钢阳极板及晶片固定夹具。
6、本晶片电解氧化设备的工艺槽配置循环磁力泵和过滤筒，保证溶液的连续过滤和消除汽泡，以除去溶液中的各种固体杂质和渣滓（滤芯的过滤精度可选）。
7、循环管路、上水、排液管路均为PP材质，管路线端设总阀控制，整体管线进行固定，布局合理，横平竖直，设有操作阀门便于操作。
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供求商机详细资料 发布时间:2008-4-10 3:43:28 
